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BSZ123N08NS3 G /MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ123N08NS3 G的规格信息
BSZ123N08NS3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:10.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:66 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:17 S

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N8NS3GXT SP000443632

单位重量:100 mg

供应商BSZ123N08NS3 G
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深圳市安富世纪电子有限公司BSZ123N08NS3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSZ123N08NS3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司BSZ123N08NS3 G航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
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13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司BSZ123N08NS3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司BSZ123N08NS3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司BSZ123N08NS3 G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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集好芯城BSZ123N08NS3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市辰芯伟业科技有限公司BSZ123N08NS3 G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳诚思涵科技有限公司BSZ123N08NS3 G深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
万三科技（深圳）有限公司BSZ123N08NS3 G深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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深圳市宇浩扬科技有限公司BSZ123N08NS3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司BSZ123N08NS3 G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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深圳市瑞浩芯科技有限公司BSZ123N08NS3 G深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市全秀电子有限公司BSZ123N08NS3 G东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
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BSZ123N08NS3 G及相关型号的PDF资料
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BSZ123N08NS3 GMOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO475.72 Kbytes共9页BSZ123N08NS3 G的PDF下载地址无
BSZ123N08NS3 G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3.5V @ 33uA 漏源导通电阻：12.3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO478.54 Kbytes共9页BSZ123N08NS3 G的PDF下载地址无
BSZ123N08NS3 G的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		BSZ123N08NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH5000+:￥3
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		BSZ123N08NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH5000+:￥3
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Mouser 贸泽电子		BSZ123N08NS3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH5000+:￥3
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Mouser 贸泽电子		BSZ123N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 31:¥9.1417
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立创商城		BSZ123N08NS3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3.5V @ 33uA 漏源导通电阻：12.3mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道1+:￥8.88
10+:￥6.75
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